Dummy Wafer
再生晶圓是指在半導體IC製造過程中,有幾百道製程,為確保品質精良,每道製程都需要監控,這時就需要使用成本較低的測試晶圓,來確保製程參數是否正確,並保障產品的生產良率。因此使用於製程監控(Monitor wafer)及檔片(Dummy wafer)用之晶圓,回收加工再使用,可以降低 Test wafer及Dummy wafer之成本,便稱為再生晶圓。外界經常誤會的製作IC時所產生的不良品之再生,這是誤解。
通常這種測試晶圓材料,是由晶棒兩側品質較差處所切割出來的,並經研磨、拋光、清洗等程序,製作成測試晶圓。而再生晶圓的製程特色包括以延性輪磨(Ductile Mode Grinding)加工來取代傳統的研磨(Lapping )加工,其目在降低加工之變質層,並降低化學藥品污染,且可提高加工精度,是最先進之再生晶圓製程。
Reclain Wafer
再生晶圓係採專業之剝膜製程,可快速且不影響芯片特性的前提下,處理IC Fab製程之各式薄膜,如光阻膜、氧化膜、金屬膜等;且有效運用拋光技術來確保客戶來料矽晶圓之最小移除率和電物性要求;且以清洗方式達到最佳潔淨度,可大幅提高客戶回貨率及增加檔控片之使用次數。 谷韋 憑藉著成熟的專業技術且具多元彈性的製程設計,提供客戶穩定可靠的質量,且具競爭性的合理價位。而完善的軟硬件系統及優質服務團隊的運作,更能因應個別客戶的技術需求,達到完全客制化的目標與服務。
Oxide Wafer
規格 | 8" | 12" |
---|---|---|
厚度 | 725 + / - 25 um | 775 + / - 25 um |
Type | P | P |
Orientation | < 100 > | < 100 > |
PARTICAL COUNT | LPD<=Email住址會使用灌水程式保護機制。你需要啟動Javascript才能觀看它 | LPD<=Email住址會使用灌水程式保護機制。你需要啟動Javascript才能觀看它 |
TTV | < 25 um | < 25 um |
Wap | < 50 um | < 50 um |
Res | 1-100 ohm-cm | 1-1-100 ohm-cm |
Metal Al,Na,Ca,K,Cr,,Ni,Fe,Cu,Zn | 依客戶規格 | 依客戶規格 |
Aluminum Wafer
規格 | 8" | 12" |
---|---|---|
厚度 | 725 + / - 25 um | 775 + / - 25 um |
Type | P OR PN不分 | P OR PN不分 |
Orientation | < 100 > | < 100 > |
Aluminum Layer |
1000-20000A |
1000-20000A |
TTV | < 25 um | < 25 um |
Wap | < 50 um | < 50 um |
Res | 1-100 ohm-cm or 不分 | 1-1-100 ohm-cm or 不分 |
Test Wafer
規格 | 8" | 12" |
---|---|---|
厚度 | 725 + / - 25 um | 775 + / - 25 um |
Type | P | P |
Orientation | < 100 > | < 100 > |
PARTICAL COUNT | LPD<=Email住址會使用灌水程式保護機制。你需要啟動Javascript才能觀看它 | LPD<=Email住址會使用灌水程式保護機制。你需要啟動Javascript才能觀看它 |
TTV | < 25 um | < 25 um |
Wap | < 50 um | < 50 um |
Res | 1-100 ohm-cm | 1-100 ohm-cm |
Metal Al,Na,Ca,K,Cr,,Ni,Fe,Cu,Zn | 依客户规格 | 依客户规格 |
制程監控(Monitor Wafer)

用於製程監控(Monitor wafer)及檔片(Dummy wafer)用之晶圓,回收加工再使用,可以降低 Test wafer及Dummy wafer之成本
Reclaim Oxide代工

採取Reclaim Oxide代工模式,提供價格合理且高品質之8” (200mm) & 12” (300mm) thermal oxide wafer
處理IC Fab制程

處理IC Fab製程之各式薄膜,如光阻膜、氧化膜、金屬膜等;且有效運用拋光技術來確保客戶來料矽晶圓之最小移除率和電物性要求
Cassette 供應各種晶圓盒

蛋糕盒、披薩盒、cassette box、FOSB。可保護、運送、並儲存晶圓,防止晶圓碰撞、摩擦,在運輸傳載及儲存時提供安全防護。
AL Wafer 氧化鋁晶片(Aluminum Wafer)

它具有出色的耐熱性,高機械強度,耐磨性和較小的介電損耗。氧化鋁基板表面光滑,孔隙率低,99.6%氧化鋁基板適合薄膜器件,96%氧化鋁基板適合厚膜器件。