再生晶圓係採專業之剝膜製程,可快速且不影響芯片特性的前提下,處理IC Fab製程之各式薄膜,如光阻膜、氧化膜、金屬膜等;且有效運用拋光技術來確保客戶來料矽晶圓之最小移除率和電物性要求;且以清洗方式達到最佳潔淨度,可大幅提高客戶回貨率及增加檔控片之使用次數。  谷韋 憑藉著成熟的專業技術且具多元彈性的製程設計,提供客戶穩定可靠的質量,且具競爭性的合理價位。而完善的軟硬件系統及優質服務團隊的運作,更能因應個別客戶的技術需求,達到完全客制化的目標與服務。

管制項目/晶圓尺寸 150mm200mm300mm
移除量≦8μm≦8μm≦10μm
平坦度 ≦15μm≦15μm≦10μm
Zn.Fe. Cu 金屬元素清洗能力≦1 E10≦1 E10≦1 E10
晶片表面潔淨度 ≦ 40 ea @ 0.160 μm≦ 70 ea @ 0.100 μm≦ 300 ea @ 0.032 μm
≦ 10 ea @ 0.200 μm≦ 40 ea @ 0.160 μm ≦ 140 ea @ 0.065 μm
≦  5 ea @ 0.300 μm≦30ea @ 0.200 μm ≦ 30 ea  @  0.12 μm
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