產品總覽

• 初步檢測與分類
• 去除殘留薄膜（光阻膜 / 氧化膜 / 金屬膜）
• 研磨與拋光
• 最終缺陷檢查

顆粒控制、金屬污染抑制與平整度幾乎與原始控片相當。

• CVD/PVD 氣相沉積技術，形成金屬或非金屬氧化物保護層
• 優異絕緣性、化學穩定性
• 單面或雙面氧化

4" ~ 12"，厚度 1000Å ~ 30000Å

• 設備校準：校正晶圓缺陷檢驗系統，確保正確偵測微粒。
• 良率控制：設定機台掃描門檻值，控制製程品質。

32nm ~ 300nm，歡迎來電洽詢。

• 晶背供電 (ESPDN)：供電線路移至晶圓背面，提升訊號效率。
• 功率半導體：MOSFET、IGBT、SiC/GaN 薄化降低導通電阻。
• 3D 封裝 (TSV)：矽穿孔技術堆疊晶片，提高封裝產能。

接受客戶來料代工，提供薄化及薄化加鍍膜服務。

• 製程設備校準：微影、蝕刻、CMP 等設備校準與驗證。
• 量測系統驗證：確保 CD-SEM、OCD 等量測設備精度。
• 研發測試：新製程開發的測試與評估。

採用標準晶圓載具盒包裝，防止表面損傷。歡迎來電洽詢規格與報價。

• 化學式：α-Al₂O₃　純度：99.99%+
• 熔點：2040~2050°C　導熱：40~46 W/(m·K)
• 透光波段：0.2μm ~ 5.0μm　透過率：85~88%
• 電阻率：10¹¹~10¹⁴ Ω·cm

• 射頻（RF）與微波元件
• 高效率太陽能電池
• 高速電晶體（MESFET、HEMT）

4"、6" 等多種尺寸，具 Primary Flat 定向平邊，歡迎洽詢。

• 白色無味粉末，純度：5N（99.999%）
• 優異耐熱性、高溫耐腐蝕性

• Plasma Spray：製程設備保護塗層。
• 陶瓷燒結助劑、YSZ 穩定劑、螢光粉原料。