在高電壓、高溫、高頻的功率應用中，碳化矽的材料特性讓元件可以更小、更省電、更耐熱。
約為矽（1.12 eV）的 3 倍，元件能在更高溫度與電壓下穩定運作。
約為矽的 10 倍，同樣耐壓下漂移層可以更薄，導通損耗更低。
約為矽的 2.5～3 倍，散熱更快，模組可以做得更精簡。
產業正從 6 吋轉往 8 吋。8 吋晶圓面積約為 6 吋的 1.78 倍，單片可切出更多晶粒；兩種尺寸谷韋皆可供應，配合您的產線節奏。
最高等級，適用對缺陷最敏感的元件量產。
量產等級，適用一般功率元件製造。
測試等級，用於製程開發、機台調校與良率監控。
| 晶型 | 4H |
|---|---|
| 導電型 / 摻雜 | N 型 / 氮（N）摻雜 |
| 電阻率 | 0.015 – 0.025 Ω·cm |
| 直徑 | 150 mm（6″）/ 200 mm（8″） |
| 定位方式 | 6″ 主定位邊 / 8″ Notch |
| 等級 | Ultra Production / Production / Dummy |
| 表面 | Epi-ready |
| 包裝 | 充氮 / 真空包裝 |
| 其他品項 | 半絕緣型基板、磊晶片（歡迎洽詢） |
主驅逆變器、車載充電器與快充樁，追求高效率與小型化。
太陽能與儲能逆變器，降低轉換損耗。
高功率密度電源供應，因應 AI 伺服器的用電需求。
半絕緣型 SiC 可作為 GaN 射頻元件的基板。
