氧化矽晶圓Oxide Wafer

氧化矽晶圓Oxide Wafer

氧化矽晶圓 (Oxide Wafer) 通常被稱為SiO₂晶片，在半導體和電子產業是基礎耗材，卻也是關鍵零組件。由於二氧化矽易於蝕刻，常使用緩衝氧化蝕刻劑 (Buffered Oxide Etch, BOE) 來精確控制蝕刻速率與深度。經過氧化處理的薄矽片，通常透過高溫熱氧化（濕氧或乾氧）技術處理，具有優異的絕緣性、高絕緣性能和絕佳的化學穩定性。這種晶圓在半導體製程中廣泛用作絕緣層、摻雜阻擋層、鈍化層。

關鍵特性與應用

●表面類型： 依照需求可提供單面或雙面氧化。

●應用領域：

絕緣層： 作為 MOSFET 閘極氧化層或多層金屬互連間的絕緣層。

擴散擋層： 阻擋雜質在離子佈植製程中擴散到不希望的區域。

表面鈍化： 減少表面能態，穩定電性。

尺寸與規格

我們提供相關產品與代工服務， 從 4吋(100mm)到 12 吋 (300mm) 均有，常見厚度依用途（如：1000Å –30000Å），歡迎來電洽詢。